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SB05-05P-TD-E Fiches technique(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
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SB05-05P-TD-E Fiches technique(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
2 / 6 page SB05-05P No.2999-2/6 Electrical Characteristics at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit min typ max Reverse Voltage VR IR=200μA50 V Forward Voltage VF IF=500mA 0.55 V Reverse Current IR VR=25V 50 μA Interterminal Capacitance C VR=10V, f=1MHz 18 pF Reverse Recovery Time trr IF=IR=100mA, See specified Test Circuit. 10 ns Thermal Resistance Rth(j-a)1 310 °C / W Rth(j-a)2 When mounted on ceramic substrate (250mm2×0.8mm) 120 °C / W trr Test Circuit Ordering Information Device Package Shipping memo SB05-05P-TD-E PCP 1,000pcs./reel Pb Free Duty ≤10% 50 Ω 100 Ω 10 Ω --5V trr 10 μs |
Numéro de pièce similaire - SB05-05P-TD-E |
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Description similaire - SB05-05P-TD-E |
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