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TPS51275RUKR Fiches technique(PDF) 2 Page - Texas Instruments |
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TPS51275RUKR Fiches technique(HTML) 2 Page - Texas Instruments |
2 / 28 page VIN VBST1 TPS51275C DRVH1 SW1 DRVL1 VO1 VFB1 CS1 EN1 EN 5 V VCLK VREG5 VIN VOUT 5 V VOUT 15 V VBST2 DRVH 2 SW2 DRVL2 VFB2 CS2 EN2 PGOOD VREG3 EN 3.3 V VOUT 3.3 V PGOOD 3.3-V Always ON UDG-12091 1 mF 1 mF 5 V Always ON VIN VBST1 TPS51275 DRVH1 SW1 DRVL1 VO1 VFB1 CS1 EN1 EN-5V VCLK VREG5 VIN VOUT 5 V VOUT 15 V VBST2 DRVH 2 SW2 DRVL2 VFB2 CS2 EN2 PGOOD VREG3 EN 3.3 V VOUT 3.3 V PGOOD 3.3-V Always ON UDG-12090 1 mF 5 V 1 mF TPS51275, TPS51275C SLUSB45 – JUNE 2012 www.ti.com These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates. TYPICAL APPLICATION DIAGRAM (TPS51275) TYPICAL APPLICATION DIAGRAM (TPS51275C) 2 Submit Documentation Feedback Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated |
Numéro de pièce similaire - TPS51275RUKR |
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Description similaire - TPS51275RUKR |
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