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CLY10 Datasheet(Fiches technique) 3 Page - Siemens Semiconductor Group

Numéro de pièce CLY10
Description  GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)
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Fabricant  SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
Site Internet  http://www.siemens.com/
Logo 

   
 3 page
background image
GaAs FET
CLY 10
_________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 3/7
17.12.96
HL EH PD 21
Compression Power vs. Drain-Source Voltage
f = 1.8GHz; IDS = 0.5 IDSS
P1dB
η
η
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
[dBm]
01
23
45
6
7
8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
[%]
[V]
Drain-Source Voltage
Small Signal Gain
P1dB
0
2
4
6
8
10
12
16
[dB]
01
23
45
6
7
8
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
[W]
[V]
Drain-Source Voltage
14
Output Characteristics
Drain-Source Voltage [V]
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
01
23
456
VGS=0V
VGS=-0.5V
VGS=-1V
VGS=-1.5V
VGS=-2V
VGS=-2.5V
PtotDC




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Numéro de composants électroniques

Numéro de pièceDescription des composantsHtml ViewFabricant
CLY15GaAs FET Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz 1 2 3 4 5 MoreSiemens Semiconductor Group
CLY5GaAs FET Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz 1 2 3 4 5 MoreSiemens Semiconductor Group
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