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BUZ101S Fiches technique(PDF) 7 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUZ101S Fiches technique(HTML) 7 Page - Siemens Semiconductor Group |
7 / 8 page Semiconductor Group 7 04/Nov/1997 Preliminary data BUZ 101 S SPP22N05 Drain-source on-resistance R DS (on) = ƒ(Tj) parameter: ID = 16 A, VGS = 10 V -60 -20 20 60 100 °C 180 T j 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16 Ω 0.20 R DS (on) typ 98% Gate threshold voltage V GS (th) = ƒ(Tj) parameter: VGS = VDS, ID = 40 µA 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 V 4.6 V GS(th) -60 -20 20 60 100 °C 180 T j 2% typ 98% Typ. capacitances C = f (VDS) parameter:VGS = 0V, f = 1MHz 0 5 10 15 20 25 30 V 40 VDS 1 10 2 10 3 10 4 10 pF C Ciss Coss Crss Forward characteristics of reverse diode I F = ƒ(VSD) parameter: Tj, tp = 80 µs -1 10 0 10 1 10 2 10 A I F 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0 V SD T j = 25 °C typ T j = 25 °C (98%) T j = 175 °C typ T j = 175 °C (98%) |
Numéro de pièce similaire - BUZ101S |
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Description similaire - BUZ101S |
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