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BBY56-03W Fiches technique(PDF) 1 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BBY56-03W Fiches technique(HTML) 1 Page - Siemens Semiconductor Group |
1 / 2 page BBY 56-03W Semiconductor Group Au -14-1998 1 Silicon Tuning Diode Preliminary data • Excellent linearity • High Q hyperabrupt tuning diode • Low series inductance • Designed for low tuning voltage operation for VCO’s in mobile communications equipment • Very low capacitance spread VPS05176 1 2 Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BBY 56-03W 6 cathd. red Q62702- 1 = C 2 = A SOD-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Diode reverse voltage VR 10 V Forward current IF 20 mA Operating temperature range Top -55 ...+150 °C Storage temperature Tstg -55 ...+150 Semiconductor Group 1 1998-11-01 |
Numéro de pièce similaire - BBY56-03W |
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Description similaire - BBY56-03W |
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