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SIA910EDJ Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SIA910EDJ Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 7 page www.vishay.com 4 Document Number: 65535 S09-2267-Rev. A, 02-Nov-09 Vishay Siliconix SiA910EDJ New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Gate Charge Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0 2 4 6 8 04 8 12 VDS =9.6 V VDS =6 V ID =6.8 A VDS =3 V Qg - Total Gate Charge (nC) 0.1 1 10 100 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 TJ = 25 °C TJ = 150 °C VSD -Source-to-Drain Voltage (V) 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Junction Temperature On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power (Junction-to-Ambient) 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 VGS =4.5 V,2.5 V;ID =5.5 A VGS =1.8V;ID =2.5 A TJ -Junction Temperature (°C) 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0 1 234 5 ID = 5.2 A; TJ = 25 °C ID =2.5 A; TJ = 25 °C ID = 5.2 A; TJ = 125 °C ID =2.5 A; TJ = 125 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 1000 100 1 0.001 0.01 0.1 10 Pulse (s) 20 10 5 15 0 |
Numéro de pièce similaire - SIA910EDJ |
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Description similaire - SIA910EDJ |
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