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SI5440DC-T1-GE3 Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI5440DC-T1-GE3 Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 11 page www.vishay.com 4 Document Number: 69056 S-83037-Rev. A, 22-Dec-08 Vishay Siliconix Si5440DC New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 10 1 100 TJ = 150 °C TJ = 25 °C VSD -Source-to-Drain Voltage (V) 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 02 4 6 8 10 TJ =25 °C TJ = 125 °C ID =9.1 A VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 30 50 10 20 Time (s) 40 1 100 600 10 10-1 10-2 10-3 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 0.01 100 1 100 0.01 0.1 1ms 10 ms 1s 10 s 0.1 1 10 10 TA = 25 °C Single Pulse Limited byRDS(on)* DC 100 µs BVDSS Limited 100 ms VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified |
Numéro de pièce similaire - SI5440DC-T1-GE3 |
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Description similaire - SI5440DC-T1-GE3 |
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