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SI4946BEY Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI4946BEY Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 10 page Document Number: 73411 S09-2434-Rev. C, 16-Nov-09 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si4946BEY TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Gate Charge 0 5 10 15 20 25 30 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VGS = 10 V thru 5 V 4 V VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 3 V 0.000 0.020 0.040 0.060 0.080 0.100 0 5 10 15 20 25 30 VGS = 10 V ID - Drain Current (A) VGS = 4.5 V 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 ID = 5.3 A Qg - Total Gate Charge (nC) VDS = 48 V VDS = 30 V Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 2 4 6 8 10 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 25 °C TC = 150 °C - 55 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 200 400 600 800 1000 1200 0 102030405060 Crss Coss Ciss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 175 VGS = 10 V TJ - Junction Temperature (°C) VGS = 4.5 V ID = 5.3 A |
Numéro de pièce similaire - SI4946BEY_09 |
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Description similaire - SI4946BEY_09 |
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