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SI4210DY-T1-GE3 Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI4210DY-T1-GE3 Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 10 page www.vishay.com 4 Document Number: 65151 S09-1821-Rev. A, 14-Sep-09 Vishay Siliconix Si4210DY New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 0.01 0.001 0.1 10 100 TJ = 150 °C TJ = 25 °C VSD -Source-to-Drain Voltage (V) - 1.0 - 0.7 - 0.4 - 0.1 0.2 0.5 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA ID =5mA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power 0.00 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15 012 3 45 67 8 910 ID =5A TJ =25 °C TJ = 125 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 10 20 30 40 50 Time (s) 10 1000 0.1 0.01 0.001 100 1 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 TA = 25 °C Single Pulse 100 ms Limited byRDS(on)* BVDSS Limited 1ms 10 ms 1s 10 s DC VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified |
Numéro de pièce similaire - SI4210DY-T1-GE3 |
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Description similaire - SI4210DY-T1-GE3 |
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