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SI4110DY-T1-GE3 Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI4110DY-T1-GE3 Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 10 page www.vishay.com 4 Document Number: 68766 S-81713-Rev. A, 04-Aug-08 Vishay Siliconix Si4110DY New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.1 1 10 100 0.0 0.20.4 0.60.8 1.0 1.2 TJ = 150 °C VSD -Source-to-Drain Voltage (V) TJ = 25 °C 0 1 2 3 4 5 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0 0.01 0.02 0.03 0.04 4567 8 910 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TJ = 25 °C TJ = 125 °C 0 30 60 90 120 150 10 1 0.01 Time (s) 0.1 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 TA =25 °C Single Pulse Limited byRDS(on)* BVDSS Limited 10 ms 1ms 100 µs 100 ms 1s 10 s DC |
Numéro de pièce similaire - SI4110DY-T1-GE3 |
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Description similaire - SI4110DY-T1-GE3 |
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