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SI3850ADV-T1-GE3 Fiches technique(PDF) 7 Page - Vishay Siliconix |
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SI3850ADV-T1-GE3 Fiches technique(HTML) 7 Page - Vishay Siliconix |
7 / 13 page Document Number: 73789 S09-2110-Rev. B, 12-Oct-09 www.vishay.com 7 Vishay Siliconix Si3850ADV P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.01 0.1 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 1 10 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 25 °C 0.001 TJ = 150 °C TJ - Temperature (°C) - 0.2 - 0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA ID = 5 mA On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power vs. Junction-to-Ambient 25 °C 125 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0.0 0.6 1.2 1.8 2.4 3.0 012345 Time (s) 110 0.1 0.01 0.001 0 6 12 18 24 30 Safe Operating Area TA = 25 °C Single Pulse DC 0.01 0.1 1 10 0.1 1 10 100 Limited by R * DS(on) 100 ms 10 ms 1 ms VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified BVDSS Limited 1 s, 10 s |
Numéro de pièce similaire - SI3850ADV-T1-GE3 |
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Description similaire - SI3850ADV-T1-GE3 |
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