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2SD1440 Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SD1440 Fiches technique(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1440 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 500mA; IC= 0 5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.8A 5.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.8A 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 750V; IE= 0 VCB= 1500V; IE= 0 50 1.0 μA mA hFE DC Current Gain IC= 2.5A; VCE= 10V 4 15 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 10V 2 MHz VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 4A 2.2 V ts Storage Time 9.0 μs tf Fall Time IC= 2.5A, IBend= 0.8A, Lleak= 5μH 0.8 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
Numéro de pièce similaire - 2SD1440 |
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Description similaire - 2SD1440 |
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