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2SC3854 Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC3854 Fiches technique(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3854 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=50mA ;IB=0 120 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ;IC=0 6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=3A; IB=0.3A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=160V; IE=0 100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 100 μA hFE DC current gain IC=3A ; VCE=4V 50 fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=12V 20 MHz |
Numéro de pièce similaire - 2SC3854 |
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Description similaire - 2SC3854 |
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