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BF1009SR Fiches technique(PDF) 3 Page - Infineon Technologies AG

No de pièce BF1009SR
Description  Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
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Fabricant  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Site Internet  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG

BF1009SR Fiches technique(HTML) 3 Page - Infineon Technologies AG

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background image
2007-04-20
3
BF1009S...
Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
AC Characteristics
(verified by random sampling)
Forward transconductance
VDS = 9 V, VG2S = 6 V
gfs
26
30
-
mS
Gate1 input capacitance
VDS = 9 V, VG2S = 6 V, f = 10 MHz
Cg1ss
-
2.1
2.7
pF
Output capacitance
VDS = 9 V, VG2S = 6 V, f = 10 MHz
Cdss
-
0.9
-
Power gain (self biased)
VDS = 9 V, VG2S = 6 V, f = 800 MHz
Gp
18
22
-
dB
Noise figure
VDS = 9 V, VG2S = 6 V, f = 800 MHz
F
-
1.4
2.1
dB
Gain control range
VDS = 9 V, VG2S = 6 ... 0 V, f = 800 MHz
∆G
p
40
50
-


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