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FW707 Fiches technique(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
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FW707 Fiches technique(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
2 / 4 page FW707 No.1805-2/4 Electrical Characteristics at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit min typ max Drain-to-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS ID=--1mA, VGS=0V --30 V Zero-Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=--30V, VGS=0V --1 μA Gate-to-Source Leakage Current IGSS VGS=±16V, VDS=0V ±10 μA Cutoff Voltage VGS(off) VDS=--10V, ID=--1mA --1.2 --2.6 V Forward Transfer Admittance | yfs | VDS=--10V, ID=--8A 10 S Static Drain-to-Source On-State Resistance RDS(on)1 ID=--8A, VGS=--10V 20 26 mΩ RDS(on)2 ID=--4A, VGS=--4.5V 32 45 mΩ RDS(on)3 ID=--4A, VGS=--4V 36 51 mΩ Input Capacitance Ciss VDS=--10V, f=1MHz 900 pF Output Capacitance Coss VDS=--10V, f=1MHz 240 pF Reverse Transfer Capacitance Crss VDS=--10V, f=1MHz 160 pF Turn-ON Delay Time td(on) See specified Test Circuit. 8.7 ns Rise Time tr See specified Test Circuit. 73 ns Turn-OFF Delay Time td(off) See specified Test Circuit. 84 ns Fall Time tf See specified Test Circuit. 74 ns Total Gate Charge Qg VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--8A 18 nC Gate-to-Source Charge Qgs VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--8A 2.1 nC Gate-to-Drain “Miller” Charge Qgd VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--8A 4.7 nC Diode Forward Voltage VSD IS=--8A, VGS=0V --0.82 --1.2 V Switching Time Test Circuit PW=10μs D.C.≤1% P.G 50Ω G S D ID= --8A RL=1.87Ω VDD= --15V VOUT FW707 VIN 0 --10V VIN ID -- VGS Gate-to-Source Voltage, VGS -- V Drain-to-Source Voltage, VDS -- V ID -- VDS 0 --8 --5 --7 --4 --6 --3 --2 --1 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --0.1 --0.3 --0.5 --0.7 --0.9 IT15805 0 --1.0 --0.5 --1.5 --2.0 --4.0 --3.0 --2.5 --3.5 0 --2 --4 --6 --16 --14 --12 --10 --8 IT15806 --3.0V VDS= --10V VGS= --2.5V |
Numéro de pièce similaire - FW707 |
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Description similaire - FW707 |
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