SIA429DJT datasheet(5/7 Pages) VISHAY

No de pièce	SIA429DJT

Description	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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S10-2538-Rev. A, 08-Nov-10

www.vishay.com

5

Vishay Siliconix

SiA429DJT

New Product

TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)

* The power dissipation PD is based on TJ(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper

dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package

limit.

Current Derating*

0

5

10

15

20

25

30

0

255075

100

125

150

Package Limited

T

C - Case Temperature (°C)

Power Derating

0

5

10

15

20

25

50

75

100

125

150

TC - Case Temperature (°C)

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