Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
SPI11N60C3 Fiches technique(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG |
|
SPI11N60C3 Fiches technique(HTML) 7 Page - Infineon Technologies AG |
7 / 16 page 200 9-11-27 Rev. 3.2 Page 7 SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 9 Typ. drain-source on resistance RDS(on)=f(ID) parameter: Tj=150°C, VGS 0 2 4 6 8 10 12 14 16 A 20 ID 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 Ω 2 4V 4.5V 5V 5.5V 6V 6.5V 8V 20V 10 Drain-source on-state resistance RDS(on) = f (Tj) parameter : ID = 7 A, VGS = 10 V -60 -20 20 60 100 °C 180 Tj 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 Ω 2.1 SPP11N60C3 typ 98% 11 Typ. transfer characteristics ID= f ( VGS ); VDS≥ 2 x ID x RDS(on)max parameter: tp = 10 µs 0 2 4 6 8 10 12 V 15 VGS 0 4 8 12 16 20 24 28 32 A 40 25°C 150°C 12 Typ. gate charge VGS = f (QGate) parameter: ID = 11 A pulsed 0 10 20 30 40 50 nC 70 QGate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 SPP11N60C3 0,8 VDS max DS max V 0,2 |
Numéro de pièce similaire - SPI11N60C3 |
|
Description similaire - SPI11N60C3 |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |