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BAS19 Fiches technique(PDF) 2 Page - EIC discrete Semiconductors |
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BAS19 Fiches technique(HTML) 2 Page - EIC discrete Semiconductors |
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2 / 2 page  FIG.1 - MAXIMUM CONTINUOUS FORWARD FIG.2 - DIODE CAPACITANCE VS. REVERSE CURRENT VS. AMBIENT TEMPERATER VOLTAGE; TYPICAL VALUES FIG.3 - FORWARD CURRENT VS. FORWARD FIG.4 - REVERSE CURRENT VS. JUNCTION VOLTAGE ; TYPICAL VALUES TEMPERATURE; TYPICAL VALUES Page 2 of 2 Rev. 01 : May 22, 2006 RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES ( BAS19, BAS20, BAS21 ) AMBIENT TEMPERATURE, (°C) 50 0 0 100 200 100 150 200 250 50 150 0 2 4 6 8 0 0.2 0.4 1.0 0.8 0.6 REVERSE VOLTAGE, (V) JUNCTION TEMPERATURE, (°C) FORWARD VOLTAGE, (V) 0 12 600 400 200 0 0 100 200 50 150 0.01 0.1 1 10 100 VR =VRmax TJ = 25 °C TJ = 150 °C f = 1MHz; Tj = 25 °C Certificate TH97/10561QM Certificate TW00/17276EM |
Numéro de pièce similaire - BAS19 |
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Description similaire - BAS19 |
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