Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
BUK6E2R3-40C Fiches technique(PDF) 9 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK6E2R3-40C Fiches technique(HTML) 9 Page - NXP Semiconductors |
9 / 15 page BUK6E2R3-40C All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 1 — 18 August 2010 9 of 15 NXP Semiconductors BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Fig 13. Gate charge waveform definitions Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values Fig 15. Source current as a function of source-drain voltage; typical values 003aaa508 VGS VGS(th) QGS1 QGS2 QGD VDS QG(tot) ID QGS VGS(pl) 003aae254 0 2 4 6 8 10 0 100 200 300 QG (nC) VGS (V) VDS = 32V 14V 003aae255 0 20 40 60 80 100 0 0.3 0.6 0.9 1.2 VSD(V) IS (A) Tj = 25 °C Tj = 175 °C |
Numéro de pièce similaire - BUK6E2R3-40C |
|
Description similaire - BUK6E2R3-40C |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |