Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
TPC8018-H Fiches technique(PDF) 5 Page - Toshiba Semiconductor |
|
TPC8018-H Fiches technique(HTML) 5 Page - Toshiba Semiconductor |
5 / 7 page TPC8018-H 2006-11-16 5 2 0 0 40 80 120 1.2 1.6 160 0.8 0.4 (1) (2) 160 −40 0 40 80 120 −80 10 8 6 4 2 0 ID = 18A VGS = 10 V VGS = 4.5 V ID = 4.5A,9A,18A ID = 4.5A,9A 0 0.5 1 1.5 2.5 −80 −40 0 40 80 120 160 2 0 0.1 −0.2 10 100 1000 −0.6 −0.8 −1.0 VGS = 0 V 10 4.5 1 3 −0.4 1 10 0.1 100 1000 10000 1 10 100 Ciss Coss Crss 40 0 8 24 VDD = 6 V VDS VGS 24 12 32 50 20 10 30 40 0 16 20 8 4 12 16 0 Drain-source voltage VDS (V) Capacitance – VDS Common source VGS = 0 V f = 1 MHz Ta = 25°C Drain-source voltage VDS (V) IDR – VDS Common source Ta = 25°C Pulse test Ambient temperature Ta (°C) Vth – Ta Common source VDS = 10 V ID = 1 mA Pulse test Ambient temperature Ta (°C) RDS (ON) – Ta Common source Pulse test Total gate charge Qg (nC) Dynamic input/output characteristics Ambient temperature Ta (°C) PD – Ta (1)Device mounted on a glass-epoxy board(a) (Note 2a) (2)Device mounted on a glass-epoxy board(b) (Note 2b) t= 10s Common source ID = 18 A Ta = 25°C Pulse test |
Numéro de pièce similaire - TPC8018-H |
|
Description similaire - TPC8018-H |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |