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3TA250GK04NB Fiches technique(PDF) 1 Page - Sirectifier Semiconductors |
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3TA250GK04NB Fiches technique(HTML) 1 Page - Sirectifier Semiconductors |
1 / 3 page Symbol Test Conditions Maximum Ratings Unit IT(AV) IT(RMS) Single phase, half wave, 180 oC conduction,TC=114oC 250 392 A A2s TVJ TVJM Tstg -30...+150 150 -30...+125 oC Weight 210 g I2t ITSM PGM PG(AV) IFGM VFGM VRGM di/dt Ms to heatsink M6 3 ~ 5 Mt to terminals M6 2.5 5 Nm 1/2cycle, 50Hz/60Hz, peak value, non-repetitive 6750/7420 A 620000 10 1 W 3 A 10 5 V IG=150mA, Tj=25oC, VD=1/2VDRM, dIG/dt=1A/us 60 A/us ~ Three Phase Thyristor Module (Half Bridge) 3TA250GKxxNB Dimensions in mm (1mm = 0.0394") Type 3TA250GK03NB 3TA250GK04NB VRRM V 300 400 VRSM V 400 500 K1 G1 K2 G2 3 G 3 K 1 2 3 A K3 K2 K1 K3 K2 K1 A G3 G2 K2 K3 K1 G1 |
Numéro de pièce similaire - 3TA250GK04NB |
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Description similaire - 3TA250GK04NB |
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