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BTB1412J3 Fiches technique(PDF) 1 Page - Cystech Electonics Corp. |
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1 / 7 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C816J3 Issued Date : 2003.05.15 Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/7 BTB1412J3 CYStek Product Specification Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -30V BTB1412J3 IC -5A RCESAT 75mΩ typ. Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.5 V (max), at IC / IB = -4A / -0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTD2118J3 • Pb-free package Symbol Outline BTB1412J3 TO-252 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 °C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -30 V Emitter-Base Voltage VEBO -6 V IC(DC) -5 Collector Current IC(Pulse) -10 *1 A Pd(TA=25℃) 1 Power Dissipation Pd(TC=25℃) 10 W Junction Temperature Tj 150 °C Storage Temperature Tstg -55~+150 °C Note : *1 . Single Pulse Pw=10ms B:Base C:Collector E:Emitter B E C |
Numéro de pièce similaire - BTB1412J3_09 |
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Description similaire - BTB1412J3_09 |
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