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TPC8041 Fiches technique(PDF) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
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TPC8041 Fiches technique(HTML) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
4 / 7 page TPC8041 2009-09-29 4 100 100 1.6 2 0.8 1 VGS = 10 V 4.5 0.1 100 10 0.1 1 10 1 Ta = −55°C 25 100 0.1 1 10 0.1 1 10 100 6.5 ID = 13 A 3 0 2 4 6 8 10 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 Ta = −55°C 100 25 1 3 4 6 0 10 20 30 40 50 0 2 5 0 10 20 30 40 50 4 VGS =3.4 V 10 3.8 4.1 0 0.4 0.8 1.2 4.3 8 6 3.6 4.5 5 ID – VDS 3.9 VGS = 3.3 V 8 0 0.2 0.4 0.6 3.5 0 4 12 8 16 20 3.7 6 10 5 4.5 4.1 4.3 4 ID – VDS ID – VGS VDS – VGS |Yfs| – ID RDS (ON) – ID Common source Ta = 25°C Pulse test Common source Ta = 25°C Pulse test Common source VDS = 10 V Pulse test Common source Ta = 25°C Pulse test Common source VDS = 10 V Pulse test Common source Ta = 25°C Pulse test Drain −source voltage VDS (V) Drain-source voltage VDS (V) Gate −source voltage VGS (V) Gate −source voltage VGS (V) Drain current ID (A) Drain current ID (A) |
Numéro de pièce similaire - TPC8041 |
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Description similaire - TPC8041 |
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