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TPC6111 Fiches technique(PDF) 6 Page - Toshiba Semiconductor |
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TPC6111 Fiches technique(HTML) 6 Page - Toshiba Semiconductor |
6 / 7 page TPC6111 2009-05-12 6 −0.1 −1 −10 −1 −100 −0.1 −100 −10 10 ms * 1 ms * VDSS max 0.1 1m 10m 100m 1 10 100 1000 1 10 100 1000 Device mounted on a glass-epoxy board (b) (Note 2b) Device mounted on a glass-epoxy board (a) (Note 2a) Drain-source voltage VDS (V) Safe operating area Pulse width tw (S) rth − tw Single pulse * Single pulse Ta = 25°C Curves must be derated linearly with increase in temperature. ID max (pulse) * |
Numéro de pièce similaire - TPC6111 |
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Description similaire - TPC6111 |
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