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2SA1305 Fiches technique(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SA1305 Fiches technique(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 3 page JMnic Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SA1305 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA , IB=0 -30 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-50μA , IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2A; IB=-0.2A -1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-2A; IB=-0.2A -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-30V;IE=0 -1.0 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -1.0 μA hFE DC current gain IC=-0.5A ; VCE=-3V 60 320 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-5V 100 MHz |
Numéro de pièce similaire - 2SA1305 |
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Description similaire - 2SA1305 |
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