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2SC3571 Fiches technique(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SC3571 Fiches technique(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3571 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=3.0A , IB=0.6A,L=1mH 400 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=3A; IB=0.6A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=3A; IB=0.6A 1.2 V ICBO Collector cut-off current VCB=400V; IE=0 10 µA ICEX Collector cut-off current VCE=400V; VBE=-1.5V Ta=125 10 1.0 µA mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 10 µA hFE-1 DC current gain IC=0.1A ; VCE=5V 20 80 hFE -2 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 20 80 hFE -3 DC current gain IC=3A ; VCE=5V 10 Switching times ton Turn-on time 1.0 µs ts Storage time 2.5 µs tf Fall time IC=3.0A;IB1=-IB2=0.6A VCCA150V; RL=50C 1.0 µs hFE-2 classifications M L K 20-40 30-60 40-80 |
Numéro de pièce similaire - 2SC3571 |
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Description similaire - 2SC3571 |
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