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2SC1868 Fiches technique(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SC1868 Fiches technique(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC1868 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA ;IB=0 400 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA ;IE=0 450 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ;IC=0 7 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4A; IB=0.8A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4A; IB=0.8A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=450V; IE=0 100 µA IEBO Emitter cut-off current VEB=7V; IC=0 100 µA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 15 50 hFE-2 DC current gain IC=5A ; VCE=5V 10 |
Numéro de pièce similaire - 2SC1868 |
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Description similaire - 2SC1868 |
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