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2SC2739 Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC2739 Fiches technique(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC2739 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.2A ;L=25mH 400 V VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage IC=3A; IB=0.6A 1.0 V VBE(sat) Base-emitter saturation voltage IC=3A; IB=0.6A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=500V; IE=0 100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 100 μA hFE-1 DC current gain IC=0.1A ; VCE=5V 15 hFE-2 DC current gain IC=3A ; VCE=5V 8 fT Transition frequency IC=0.5 A ; VCE=10V 11 MHz Switching times ton Turn-on time 1.0 μs ts Storage time 3.0 μs tf Fall time VCC=100V ,IC=3A, IB1=-IB2=0.6A 1.0 μs |
Numéro de pièce similaire - 2SC2739 |
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Description similaire - 2SC2739 |
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