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TSAL4400 Fiches technique(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix |
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TSAL4400 Fiches technique(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix |
2 / 5 page Document Number: 81006 For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com www.vishay.com Rev. 1.6, 16-Sep-08 87 TSAL4400 High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs Vishay Semiconductors Fig. 1 - Power Dissipation Limit vs. Ambient Temperature Fig. 2 - Forward Current Limit vs. Ambient Temperature Note Tamb = 25 °C, unless otherwise specified 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 010 20 30 40 50 60 70 80 90 100 21317 T amb - Ambient Temperature (°C) R thJA = 300 K/W 0 20 40 60 80 100 120 0 10 203040 506070 80 90 100 T amb - Ambient Temperature (°C) 21318 R thJA = 300 K/W BASIC CHARACTERISTICS PARAMETER TEST CONDITION SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms VF 1.35 1.6 V IF = 1 A, tp = 100 µs VF 2.6 3 V Temperature coefficient of VF IF = 1 mA TKVF - 1.8 mV/K Reverse current VR = 5 V IR 10 µA Junction capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Cj 25 pF Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie 16 30 80 mW/sr IF = 1 A, tp = 100 µs Ie 135 240 mW/sr Radiant power IF = 100 mA, tp = 20 ms φ e 35 mW Temperature coefficient of φ e IF = 20 mA TK φ e - 0.6 %/K Angle of half intensity ϕ ± 25 deg Peak wavelength IF = 100 mA λ p 940 nm Spectral bandwidth IF = 100 mA Δλ 50 nm Temperature coefficient of λ p IF = 100 mA TK λ p 0.2 nm/K Rise time IF = 100 mA tr 800 ns Fall time IF = 100 mA tf 800 ns Virtual source diameter Method: 63 % encircled energy d 1.9 mm |
Numéro de pièce similaire - TSAL4400 |
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Description similaire - TSAL4400 |
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