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2SJ479S Fiches technique(PDF) 1 Page - Renesas Technology Corp |
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1 / 8 page Rev.3.00 Jun 05, 2006 page 1 of 7 2SJ479(L), 2SJ479(S) Silicon P Channel MOS FET REJ03G0866-0300 Rev.3.00 Jun 05, 2006 Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 25 m Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A (Package name: LDPAK (L) ) RENESAS Package code: PRSS0004AE-B (Package name: LDPAK (S)-(1) ) 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain D G S 1 2 3 4 1 2 3 4 |
Numéro de pièce similaire - 2SJ479S |
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Description similaire - 2SJ479S |
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