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STPS12045TV Fiches technique(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
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STPS12045TV Fiches technique(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 4 page 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0 5E+0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 tp(s) Zth(j-c)/Rth(j-c) T δ=tp/T tp Single pulse δ = 0.5 δ = 0.2 δ = 0.1 Fig.4 : Relative variation of thermal transient impedance junction to case versus pulse duration. 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 1E+0 1E+1 1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 5E+5 VR(V) IR( µA) Tj=150 °C Tj=100 °C Tj=125 °C Tj=75 °C Tj=50 °C Tj=25 °C Fig. 5: Reverse leakage current versus reverse voltage applied (typical values, per diode). 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 t(s) IM(A) Tc=75 °C Tc=100 °C Tc=125 °C IM t δ=0.5 Fig. 3: Non repetitive surge peak forward current versus overload duration (maximum values, per diode). 12 5 10 20 50 0.1 1.0 10.0 VR(V) C(nF) F=1MHz Tj=25 °C Fig. 6: Junction capacitance versus reverse voltage applied (typical values, per diode). 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 1E+1 1E+2 1E+3 VFM(V) IFM(A) Typical values Tj=125 °C Tj=125 °C Tj=25 °C Fig. 7: Forward voltage drop versus forward current (maximum values, per diode). STPS12045TV 3/4 |
Numéro de pièce similaire - STPS12045TV |
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Description similaire - STPS12045TV |
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