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FMMT449 Fiches technique(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
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FMMT449 Fiches technique(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
2 / 4 page BL Galaxy Electrical Production specification NPN Silicon Planar Medium Power Transistor FMMT449 Document number: BL/SSSTC051 www.galaxycn.com Rev.A 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=1mA,IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 B 30 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100μA,IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=40V,IE=0 VCB=40V,IE=0Tamb=100℃ 0.1 10 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V,IC=0 0.1 μA VCE=2V,IC=50mA 70 VCE=2V,IC=500mA 100 300 VCE=2V,IC=1A 80 DC current gain hFE VCE=2V,IC=2A 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=1A, IB= 100mA B IC=2A, IB= 200mA B 0.5 1.0 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=1A, IB= 100mA B 1.25 V Base-emitter turn-on voltage VBE(on) IC=1A,VCE=2V 1.0 V Transition frequency fT VCE=10V, IC= 50mA f=100MHz 150 MHz Output capacitance Cobo VCB=10V,f=1MHz 15 pF |
Numéro de pièce similaire - FMMT449 |
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Description similaire - FMMT449 |
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