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TLBE1100B Fiches technique(PDF) 5 Page - Toshiba Semiconductor |
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5 / 10 page TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11) 2007-10-01 5 TLEGE1100B Relative Iv - λ 0.1 10 3 80 60 100 1 0.3 20 5 0.5 −20 0 40 Ta = 25°C 10 1000 1 50 500 300 100 30 50 3 5 10 30 100 IF = 20 mA Ta = 25°C 0 520 0.4 1.0 0.8 400 600 560 480 440 640 0.6 0.2 Forward voltage VF (V) IF – VF Forward current IF (mA) IV – IF Case temperature Tc (°C) IV – Tc Wavelength λ (nm) Ta = 25°C Radiation pattern 30 ° 0 ° 60 ° 90 ° 90 ° 30 ° 60 ° 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 80 ° 70 ° 50 ° 40 ° 20 ° 10 ° 70 ° 80 ° 50 ° 40 ° 20 ° 10 ° Ta = 25°C 1 100 30 2.4 4.2 3.8 2.6 4.6 10 3 3.0 50 5 3.4 (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) |
Numéro de pièce similaire - TLBE1100B |
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Description similaire - TLBE1100B |
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