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SSM3J16TE Fiches technique(PDF) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
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SSM3J16TE Fiches technique(HTML) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
4 / 5 page SSM3J16TE 2007-11-01 4 ⎪Yfs⎪ – ID IDR – VDS Drain current ID (mA) Drain - Source VDS (V) Drain- Source voltage VDS (V) Drain current ID (mA) 10 -0.1 100 300 10000 1000 -100 -1 -10 30 50 500 3000 5000 Common Source VDD = -3 V VGS = 0~-2.5 V Ta = 25°C tr ton tf toff -0.1 10 200 100 -100 -1 -10 Common Source VGS = 0 V f = 1 MHz Ta = 25°C Crss Coss Ciss 1 -1 10 30 1000 100 -1000 -10 -100 3 5 50 300 500 Common Source VDS =−3 V Ta = 25°C 0 0 -100 -250 1.4 0.4 -50 -150 -200 0.2 0.6 0.8 1 1.2 Common Source VGS = 0 V Ta = 25°C G D S IDR c – VDS t – ID 1 0 0 100 250 160 40 50 150 200 20 60 80 100 140 120 PD – Ta Ambient temperature Ta (°C) Mounted on FR4 board (25.4mmX25.4mmX1.6t CU Pad:0.6mm2X3 |
Numéro de pièce similaire - SSM3J16TE |
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Description similaire - SSM3J16TE |
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