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2SK3417 Fiches technique(PDF) 3 Page - Toshiba Semiconductor |
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2SK3417 Fiches technique(HTML) 3 Page - Toshiba Semiconductor |
3 / 6 page 2SK3417 2006-11-06 3 10 0.1 1 0.1 1 10 Common source Tc = 20 °C Pulse test 15 VGS = 10 V 3 5 0.3 0.5 ID − VDS ID − VDS ID − VGS VDS − VGS ⎪Yfs⎪ − ID RDS (ON) − ID Drain-source voltage VDS (V) Drain-source voltage VDS (V) Gate-source voltage VGS (V) Gate-source voltage VGS (V) Drain current ID (A) Drain current ID (A) 16 0 4 8 12 20 1.2 2.5 04 8 16 12 20 Common source Tc = 25°C Pulse test ID = 5 A 4 0 0 1 2 3 5 4 8 16 12 20 VGS = 5 V 5.25 5.5 5.75 6 Common source Tc = 25°C Pulse test 15 10 6.5 6.25 8 0 0 2 4 6 10 10 20 40 30 50 VGS = 5 V 6 6.5 7 10 15 5.5 Common source Tc = 25°C Pulse test 0 2 4 8 6 10 Common source VDS = 20 V Pulse test 0 2 4 6 8 10 100 Tc = 25°C 10 0.1 1 0.1 1 10 Common source VDS = 20 V Pulse test 100 Tc = 25°C |
Numéro de pièce similaire - 2SK3417_06 |
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Description similaire - 2SK3417_06 |
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