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IRFP9140NPBF Fiches technique(PDF) 4 Page - International Rectifier

No de pièce IRFP9140NPBF
Description  HEXFET짰 Power MOSFET
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier

IRFP9140NPBF Fiches technique(HTML) 4 Page - International Rectifier

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IRFP9140NPbF
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
1
10
100
A
DS
-V
, Drain-to-Source Voltage (V)
V
= 0V,
f = 1MHz
C
= C
+ C
, C
SHORTED
C
= C
C
= C
+ C
GS
iss
gs
gd
ds
rss
gd
oss
ds
gd
Ciss
Coss
Crss
0
4
8
12
16
20
0
20406080
100
G
A
Q , Total Gate Charge (nC)
V
= -80V
V
= -50V
V
= -20V
DS
DS
DS
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I
= -11A
D
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
10ms
A
-V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
100µs
1ms
T
= 25°C
T
= 175°C
Single Pulse
C
J
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T = 25°C
J
V
= 0V
GS
SD
A
-V
, Source-to-Drain Voltage (V)
T = 175°C
J


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