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SI2304 Fiches technique(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
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4 / 12 page Philips Semiconductors SI2304DS N-channel enhancement mode field-effect transistor Product data Rev. 01 — 17 August 2001 4 of 12 9397 750 08526 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved. 7. Thermal characteristics 7.1 Transient thermal impedance Table 4: Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Value Unit Rth(j-sp) thermal resistance from junction to solder point mounted on a metal clad substrate; Figure 4 100 K/W Fig 4. Transient thermal impedance from junction to solder point as a function of pulse duration. tp tp T P t T δ = δ = 0.02 0.05 0.2 0.1 0.5 Single pulse Zth(j-sp) (K/W) tp (s) 102 103 10 1 10 1 10-1 10-2 10-3 10-4 003aaa121 |
Numéro de pièce similaire - SI2304 |
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Description similaire - SI2304 |
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