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GS-BT2416C1 Fiches technique(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
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GS-BT2416C1 Fiches technique(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 11 page I/O specification GS-BT2416C1 4/11 2 I/O specification 3 Bluetooth section Table 3. DC Input / Output specification Symbol Parameter Conditions Values Unit Min Typ Max Vil Low level input voltage 3.13 V < VDD < 3.47 V 0.8 V Vih High level input voltage 3.13 V < VDD < 3.47 V 2 V Vhyst Schmitt trigger hysteresis 3.13 V < VDD < 3.47 V 0.4 V Vol Low level output voltage Io load = pin drive capability 0.15 V Voh High level output voltage Io load = pin drive capability VDD- 0.15 V Table 4. Bluetooth section Symbol Parameter Conditions Values Unit Min Typ Max Ptr Transmission power 3.13V < VDD < 3.47V 16 18 20 dBm Sens Sensitivity 3.13V < VDD < 3.47V -70 dBm Flim Frequency limit 3.13V < VDD < 3.47V 2402 2480 MHz CHs channel space 1 MHz Hop Hopping 1600 hops/ sec RF ck RF crystal oscillator 13 MHz BB ck Baseband crystal oscillator GS-BT2416C1 32 kHz Baseband crystal oscillator GS-BT2416C1.A 32.768 kHz Tra Transmission rate asyncronous 721 kbits/ sec Trs Transmission rate syncronous 432 kbits/ sec Iop Operation current TX Mode 180 mA Operation current RX Mode 60 mA |
Numéro de pièce similaire - GS-BT2416C1 |
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Description similaire - GS-BT2416C1 |
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