BYP57-800 datasheet(3/5 Pages) ZETEX

No de pièce	BYP57-800

Description	35A Silicon Power Rectifier Diode

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Fabricant	ZETEX [Zetex Semiconductors]

Site Internet	http://www.diodes.com/

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BYP57 / BYP58

Thermal resistance

Parameter

Symbol

Value

Unit

Junction to case

RθJC

1.0

°C/W

Thermal characteristics

Forward current derating diagram

140°C

108°C

0

10

20

30

40

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

TC (°C)

Electrical characteristics

(at Tamb = 25°C unless otherwise stated)

Forward voltage characteristic

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0,75

0,8

0,85

0,9

0,95

1

1,05

VF (V)

Issue 4 – September 2006

3

www.zetex.com

Numéro de pièce similaire - BYP57-800

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Diodes Incorporated	BYP57-800	436Kb / 6P	35A SILICON POWER RECTIFIER DIODE December 2014 Rev. 5 - 4

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NTE Electronics	NTE5390	20Kb / 2P	Silicon Bridge Rectifier, 35A
Naina Semiconductor ltd...	MBR3545	124Kb / 2P	Schottky Power Diode, 35A
Naina Semiconductor ltd...	MBR3520	123Kb / 2P	Schottky Power Diode, 35A
FutureWafer Tech Co.,Lt...	GBJ3504A	829Kb / 4P	35A Bridge Rectifier
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Zetex Semiconductors	BYY57A	203Kb / 5P	50A Silicon Power Rectifier Diode
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