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BUK581-60A Fiches technique(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
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BUK581-60A Fiches technique(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
5 / 8 page Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK581-60A Logic level FET Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics. V GS = f(QG); conditions: ID = 1.5 A; parameter VDS Fig.14. Typical reverse diode current. I F = f(VSDS); conditions: VGS = 0 V; parameter Tj Fig.15. Normalised avalanche energy rating. W DSS% = f(Tamb); conditions: ID = 1.5 A Fig.16. Avalanche energy test circuit. 0 2 4 6 8 10 BUK581-60A QG / nC VGS / V 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 48 VDS / V =12 20 40 60 80 100 120 140 Tamb/ C 120 110 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 WDSS% Normalised Avalanche Energy 0 1 VSDS / V IF / A BUK581-60A 5 4 3 2 1 0 25 Tj / C = 150 0.5 1.5 L T.U.T. VDD RGS R 01 VDS -ID/100 + - shunt VGS 0 W DSS = 0.5 ⋅ LID 2 ⋅ BV DSS/(BVDSS − VDD) October 1995 5 Rev 1.100 |
Numéro de pièce similaire - BUK581-60A |
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Description similaire - BUK581-60A |
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