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STD38NH02L-1 Fiches technique(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
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STD38NH02L-1 Fiches technique(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 16 page STD38NH02L - STD38NH02L-1 Electrical characteristics 5/16 Table 5. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current Source-drain current (pulsed) 38 152 A A VSD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % Forward on voltage ISD = 19A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 38A, di/dt = 100A/µs, VDD = 18V, Tj = 150°C (see Figure 15) 27 22 1.6 ns nC A |
Numéro de pièce similaire - STD38NH02L-1 |
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Description similaire - STD38NH02L-1 |
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