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KM641001B-20 Fiches technique(PDF) 8 Page - Samsung semiconductor |
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KM641001B-20 Fiches technique(HTML) 8 Page - Samsung semiconductor |
8 / 9 page KM641001B/BL CMOS SRAM PRELIMINARY Rev. 3.0 - 8 - July 1998 FUNCTIONAL DESCRIPTION * X means Don ′t Care. CS WE OE Mode I/O Pin Supply Current H X X* Not Select High-Z ISB, ISB1 L H H Output Disable High-Z ICC L H L Read DOUT ICC L L X Write DIN ICC DATA RETENTION CHARACTERISTICS*(TA=0 to 70 °C) * Data Retention Characteristic is for L-ver only. Parameter Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit VCC for Data Retention VDR CS ≥VCC-0.2V 2.0 - 5.5 V Data Retention Current IDR VCC=3.0V, CS ≥VCC-0.2V VIN ≥VCC-0.2V or VIN≤0.2V - - 0.4 mA Data Retention Set-Up Time tSDR See Data Retention Wave form(below) 0 - - ns Recovery Time tRDR 5 - - ms DATA RETENTION WAVE FORM VCC 4.5V VIH VDR CS GND Data Retention Mode CS ≥VCC - 0.2V tSDR tRDR CS controlled |
Numéro de pièce similaire - KM641001B-20 |
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Description similaire - KM641001B-20 |
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