Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
CPD83V Fiches technique(PDF) 1 Page - Central Semiconductor Corp |
|
CPD83V Fiches technique(HTML) 1 Page - Central Semiconductor Corp |
1 / 2 page PROCESS CPD83V Switching Diode High Speed Switching Diode Chip PRINCIPAL DEVICE TYPES CMPD914 CMPD4448 1N914 1N914B 1N4148 1N4448 1N4154 1N4454 CMPD2836 CMPD2838 CMPD7000 Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 11 x 11 MILS Die Thickness 7.1 MILS Anode Bonding pad Area 3.3 x 3.3 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au.As - 13,000Å PROCESS DETAILS 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824 www.centralsemi.com GEOMETRY BACKSIDE CATHODE R1 (25- April 2005) GROSS DIE PER 4 INCH WAFER 94,130 Central Semiconductor Corp. TM |
Numéro de pièce similaire - CPD83V |
|
Description similaire - CPD83V |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |