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SI4410DY-REVA-E3 Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI4410DY-REVA-E3 Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 4 page Si4410DY Vishay Siliconix www.vishay.com 4 Document Number: 71726 S-40838—Rev. L, 03-May-04 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) 1 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0 2468 10 0 20 40 60 80 0.01 0.10 1.00 10.00 On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Threshold Voltage Single Pulse Power Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient Square Wave Pulse Duration (sec) 2 1 0.1 0.01 10-4 10-3 10-2 10-1 110 30 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TJ - Temperature (_C) Time (sec) -1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 -0.0 0.2 0.4 0.6 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 10 A ID = 250 mA 0.2 0.1 0.05 0.02 Single Pulse Duty Cycle = 0.5 1. Duty Cycle, D = 2. Per Unit Base = RthJA = 50 _C/W 3. TJM - TA = PDMZthJA(t) t1 t2 t1 t2 Notes: 4. Surface Mounted PDM Source-Drain Diode Forward Voltage VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 40 TJ = 25_C TJ = 150_C |
Numéro de pièce similaire - SI4410DY-REVA-E3 |
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Description similaire - SI4410DY-REVA-E3 |
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