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TPC8010-H Fiches technique(PDF) 6 Page - Toshiba Semiconductor |
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TPC8010-H Fiches technique(HTML) 6 Page - Toshiba Semiconductor |
6 / 7 page TPC8010-H 2002-03-12 6 rth − tw Safe Operating Area Pulse width tw (s) Drain-source voltage VDS (V) 0.01 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 *: Single pulse Ta = 25°C Curves must be derated linearly with increase in temperature. ID max (pulse)* 10 ms* 1 ms* VDSS max 0.3 0.001 0.01 0.1 10 100 1000 1 100 1000 Single pulse 1 (2) 10 (1) 3 30 300 (1) Device mounted on a glass-epoxy board (a) (Note 2a) (2) Device mounted on a glass-epoxy board (b) (Note 2b) t = 10 s |
Numéro de pièce similaire - TPC8010-H |
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Description similaire - TPC8010-H |
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