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VN1206N5 Datasheet(Fiches technique) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

Numéro de pièce VN1206N5
Description  isc N-Channel MOSFET Transistor
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Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
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isc website:www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
2
isc N-Channel MOSFET Transistor
VN1206N5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID= 10mA
60
V
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS; ID=10mA
0.8
2.4
V
RDS(on)
Drain-Source On-Resistance
VGS= 10V; ID=2A
220
450
IGSS
Gate-Source Leakage Current
VGS=±20V;VDS= 0V
±
0.1
μ
A
IDSS
Drain-Source Leakage Current
VDS= 60V; VGS= 0V;Tj=25℃
100
μ
A
VSDF
Diode forward voltage
ISD=10A, VGS = 0 V
1.4
V




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