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UT20N03 Datasheet(Fiches technique) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

Numéro de pièce UT20N03
Description  Isc N-Channel MOSFET Transistor
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Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
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isc website:www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
1
Isc N-Channel MOSFET Transistor
UT20N03
·
FEATURES
·
With To-252(DPAK) package
·
Low input capacitance and gate charge
·
Low gate input resistance
·
100% avalanche tested
·
Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·
APPLICATIONS
·
Switching applications
·
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VDSS
Drain-Source Voltage
30
V
VGSS
Gate-Source Voltage
±
20
V
ID
Drain Current-Continuous
20
A
IDM
Drain Current-Single Pulsed
120
A
PD
Total Dissipation @TC=25℃
60
W
Tch
Max. Operating Junction Temperature
175
Tstg
Storage Temperature
-55~175
·
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
Rth(ch-c)
Channel-to-case thermal resistance
2.5
/W
Rth(ch-a)
Channel-to-ambient thermal resistance
100
/W




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