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UF450 Datasheet(Fiches technique) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

Numéro de pièce UF450
Description  isc N-Channel MOSFET Transistor
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Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
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INCHANGE Semiconductor
isc website:www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
2
isc N-Channel MOSFET Transistor
UF450
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID= 1.0mA
500
V
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS; ID=0.25mA
2.0
4.0
V
RDS(on)
Drain-Source On-Resistance
VGS= 10V; ID=12A
500
IGSS
Gate-Source Leakage Current
VGS= ±20V;VDS= 0V
±
0.2
μ
A
IDSS
Drain-Source Leakage Current
VDS= 400V; VGS= 0V
25
μ
A
VSDF
Diode forward voltage
ISD=12A, VGS = 0V
1.7
V




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