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TSM600N25ECP Datasheet(Fiches technique) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

Numéro de pièce TSM600N25ECP
Description  Isc N-Channel MOSFET Transistor
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Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
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isc website:www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
2
Isc N-Channel MOSFET Transistor
TSM600N25ECP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID= 0.25mA
250
V
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS; ID=0.25mA
3.0
5.0
V
RDS(on)
Drain-Source On-Resistance
VGS= 10V; ID=4A
0.6
Ω
IGSS
Gate-Source Leakage Current
VGS=±30V;VDS= 0V
±
100
nA
IDSS
Drain-Source Leakage Current
VDS=250V; VGS= 0V,Tj=25℃
VDS=200V; VGS= 0V,Tj=125℃
1
10
μ
A
VSD
Diode forward voltage
ISD=8A, VGS = 0V
1.5
V




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