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STW30N65M5 Datasheet(Fiches technique) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

Numéro de pièce STW30N65M5
Description  isc N-Channel MOSFET Transistor
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Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
 1 page
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isc website:www.iscsemi.com
isc & iscsemi is registered trademark
1
isc N-Channel MOSFET Transistor
STW30N65M5
FEATURES
·
Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.139Ω(Max)
·
Fast Switching
·
100% avalanche tested
·
Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·
Designed for use in switch mode power supplies and general
purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VDSS
Drain-Source Voltage
650
V
VGS
Gate-Source Voltage-Continuous
±
25
V
ID
Drain Current-Continuous
22
A
IDM
Drain Current-Single Pluse
88
A
PD
Total Dissipation @TC=25℃
140
W
TJ
Max. Operating Junction Temperature
-55~150
Tstg
Storage Temperature
-55~150
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
Rth j-c
Thermal Resistance, Junction to Case
0.89
/W




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